Samsung anunciou que começou a produzir seu primeiro pacote de 4GB DRAM baseado na segunda geração interface de alta largura de banda da memória HBM2.Você deve se lembrar que a HBM é o novo tipo de memória utilizado em GPUs da AMD de Fiji-baseado como a Radeon R9 fúria X, e HBM2 vem damesma forma para se usar em computação, sistemas avançados de gráficos e de rede de alto desempenho.
HBM2 da Samsung é fabricado com tecnologia de processo de 20nm e supostamente tem um teto de desempenho que é sete vezes superior ao atual DRAM, o que ajudaria a melhorar a receptividade para high-end tarefas de computação como computação paralela, renderização de gráficos e aprendizado de máquina.
O pacote de HBM2 de 4GB é composto por um dado de amortecedor na parte inferior de uma pilha de quatro pentes de núcleo de 8Gb. Sendo empilhados é conectado de forma vertical interliga através das vias de silício (TSV) que oferecem um aumento significativo no desempenho de transferência de dados em comparação com pacotes de tradicionais .
Samsung diz que um dado de HBM2 8Gb contém mais de 5.000 TSV furos, mais de 36 vezes que de TSV DDR4 de 8Gb, que é o que lhe vantagem enorme de largura de banda sobre pacotes típicos fio-lig.
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