Samsung módulos de memória de 128 GB DDR4 com tecnologia TSV
Samsung começou a produzir em massa módulos de memória de 128 GB DDR4 usando a tecnologia (TSV). Em outubro do ano passado, a empresa já tinha começado a usar 20nm, chips de memória de 8GB para a produção em massa de módulos de memória de 32 GB DDR4.
Samsung ampliou o uso desses chips para a fabricação de módulos de memória de 128 GB DDR4 para o mercado . No entanto e por enquanto, estes componentes high-end são direcionados a aplicações de computação de nível empresarial em centros de dados e farms de servidores.
O módulo de memória de 128 GB DDR4 é composto de 144 fichas DDR4, que são agrupadas em 36 pacotes, 4 GB de DRAM. Cada pacote é composto por quatro 4GB 8 gigabits (Gb) chips que são montados com tecnologia TSV.
Atualmente, o chip de memória de 8GB tem uma taxa de transferência de dados por pino de 2,400Mbps, e Samsung planeja a introdução de versões 2,667Mbps 3,200Mbps. Isto é para atender às crescentes necessidades de largura de banda de memória do segmento de mercado de computação empresarial.
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